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新思科技Design Compiler NXT获三星Foundry认证,用于5/4纳米FinFET工艺技术

作者:wjf12345  来源:互联网  更新时间:2020-07-22 17:27

加州山景城2020年7月22日 /美通社/ --

重点:

  • 通过采用Design Compiler NXT可以使得报告运行时间大大减少,同时PPA有所提高。

  • 时钟与数据同步优化技术等新优化技术有利于于在高级节点上实现PPA目标

  • 受益于Design Complier NXT, 三星Foundry客户在认证过程中提供8%至10% PPA提高以及2倍的吞吐量

新思科技(Synopsys, Inc.)(Nasdaq: SNPS)今天宣布,新思科技Design Compiler® NXT综合解决方案已经获三星Foundry认证,用于其5/4纳米FinFET工艺技术。Design Compiler NXT是新思科技Fusion Design Platform解决方案的一部分,是RTL综合工具Design Compiler系列的最新创新,扩展了Design Compiler Graphical市场领先的综合地位。自2019年3月推出以来,它已经获得100多个客户的采用部署。

Design Compiler NXT采用快速、高效的优化引擎,以及不以牺牲QoR为前提的全新分布式综合技术。采用Design Compiler NXT的客户反馈说明运行时间大大减少,同时功耗、性能、面积(PPA)有所提高。在5/4纳米FinFET工艺中,Samsung Foundry观察到使用Design Compiler NXT PPA可提高8%至10%、吞吐量提高2倍。

三星电子设计技术团队副总裁Sangyun Kim表示:“作为先进节点代工服务的领先供应商,我们努力为客户提供满足或超过其PPA目标的生产硅。通过与新思科技的广泛合作,我们确保客户能够使用上同类中最好的工具,如用于三星Foundry 5/4纳米FinFET工艺的Design Compiler NXT,助力其成功实现PPA目标。”

Design Compiler NXT中的新优化技术包括功耗驱动的映射和结构化技术,时钟与数据同步优化技术(CCD),这对于在最先进工艺上实现PPA目标至关重要。为了实现在先进工艺节点下的紧密一致性和卓越QoR,Design Compiler NXT与新思科技IC Compiler II布局布线解决方案共享通用库以及多种先进布局技术,并且采用了一种全新的、高度精确的电阻和电容估计方法,并匹配先进工艺节点所需的能力。

新思科技Design Group工程副总裁Abhijeet Chakraborty表示:“通过我们与三星Foundry的合作,我们的共同客户将受益于Design Compiler NXT改进的运行时间、QoR以及三星Foundry的5/4纳米FinFET工艺的收敛性。随着100多家客户部署的完成,Design Compiler NXT的创新通过提供无与伦比的QoR增益及加速取得结果的时间,使成熟和新兴的工艺节点客户受益。我们致力于不断为我们的Design Compiler系列产品带来一流的综合创新。”

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