北京2018年6月15日电 /美通社/ -- 近年来，碳化硅等宽禁带半导体已成为全球高技术领域竞争战略制高点之一，国际半导体及材料领域研究和发展的热点。宽禁带半导体照明已经形成巨大规模的产业，并在电子功率器件领域继续深入发展。国际上已有ICSCRM (International Conference on Silicon Carbide and Related Materials) 和ECSCRM (European Conference on Silicon Carbide and Related Materials)两大品牌国际会议，在地域上主要体现为美国和欧洲的科技发展态势，为了推动亚太地区碳化硅等宽禁带半导体产业与学术的发展，加强交流与协同创新，由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、中科院物理所和北京硅酸盐学会发起并主办第一届亚太碳化硅及相关材料国际会议(Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials, APCSCRM 2018)将于2018年7月9日-12日在北京举行，参会规模近400人。
此次会议将围绕宽禁带半导体材料生长技术、材料结构与物性、光电子和电子器件研发以及相关设备研发等领域开展广泛交流，促进产学研的相互合作和交流。深信这次会议必将对亚太地区碳化硅等宽禁带半导体材料与器件的学术研究、技术进步和产业发展起到有力的推动作用。
APCSCRM将是一个亚太地区高水平的碳化硅等宽禁带半导体相关材料、器件的产业与学术并重的高水平论坛。从2018年开始，每年召开一次大会，地点在亚太地区不同地点轮换。
APCSCRM会议邀请来自亚太地区知名的专家学者齐聚一堂，共同学习和交流宽禁带半导体材料生长、器件制备及封装和器件模块应用等领域理论和技术。以下是部分邀请专家简介：
1. 新井 学（新日本无线，日本）
报告名称：宽禁带半导体（碳化硅、氮化镓、氧化镓和金刚石）器件综述
2. 高冰（武汉大学，中国）
报告名称：碳化硅PVT生长基面位错模拟及其控制
3. 顾亦磊（阳光电源股份有限公司，中国）
报告名称：基于SiC MOSFET的高效高功率密度光伏逆变器
4. 土方 泰斗（琦玉大学，日本）
报告名称：基于Si和C的发射模型的SiC的热氧化过程的宏观模拟
5. 黄伟（复旦大学，中国）
报告名称：可融合GaN/Si半导体器件与集成技术
6. 岩室 宪幸（筑波大学，日本）
报告名称：碳化硅MOSFET器件的最新进展
7. 纪世阳（产业技术综合研究所，日本）
报告名称：CVD外延——新型4H-SiC超结MOSFET的关键技术
8. 李顺峰（北京大学东莞光电研究院，中国）
报告名称：硅基GaN功率电子器件的开发应用与展望
9. 刘国友（中国株洲中车时代电气股份有限公司，中国）
报告名称：SiC器件在轨道交通中的应用前景
10. 陆国权（弗吉尼亚理工大学，美国）
报告名称：汽车用高功率密度碳化硅功率模块的封装
11. 松浦 秀治（ 大阪电气通信大学，日本）
报告名称：利用霍尔效应测量宽禁带半导体的电学特性
12. 水原 德健（ROHM半导体(上海)有限公司，日本）
报告名称：功率器件(SiC)的市场应用~SiC功率器件的特征、应用
13. 邱显钦（长庚大学，台湾）
报告名称：六寸硅基氮化鎵功率与微波器件封装与模块开发
14. 邱宇峰（全球能源互联网研究院，中国）
报告名称：SiC器件在未来电网中的应用
15. 孙国胜（东莞天域半导体科技有限公司，中科院半导体所，中国）
报告名称：4H-SiC中三角形缺陷结构及成因研究进展
16. 温旭辉（中国科学院电工研究所，中国）
报告名称：电动汽车用超高功率密度SiC逆变电源的技术途径分析
17. 张清纯（北卡罗来纳州立大学，美国）
报告名称：宽禁带半导体器件（氮化镓和碳化硅）及其应用的现状与展望
本次会议还面向国内外高校、科研院所和企事业单位的宽禁带半导体材料、器件、应用领域的专业技术人员征稿，投稿说明：
1. 投稿通过APCSCRM官网在线投稿
（投稿操作说明：http://www.apcscrm2018.iawbs.com，论文提交栏目下载）
2. 摘要提交截止日期：2018年6月30日
3. 全文投稿截止日期：2018年7月31日
4. 投稿人请随时关注论文评审情况（APCSCRM官网在线投稿系统）。
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